2SB1123

El 2SB1123 de onsemi (originalmente desarrollado por SANYO Semiconductor) es un transistor de potencia bipolar de unión epitaxial PNP (PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor), diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, amplificación de propósito general, etapas de salida de audio, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y controladores de solenoides o relevadores.

Diseñado en un encapsulado compacto para montaje en superficie PCP / SOT-89, este dispositivo maneja una tensión colector-emisor (VCEO) de -50 V, una corriente continua de colector (IC) de -2 A (con pulsos pico de hasta -4 A) y una baja tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat) menor o igual a -0.4 V a -1 A). Destaca por su alta ganancia de corriente continua (hFE), alta frecuencia de transición (fT = 150 MHz) para transiciones rápidas y un complemento NPN emparejado en el modelo 2SD1623, ideal para configuraciones en contrafase (push-pull) y etapas de modulación PWM.

Specs

Fabricante: onsemi (ON Semiconductor / SANYO Semiconductor)

Modelo / Referencia: 2SB1123 (variantes según hFE: 2SB1123-R, 2SB1123-S, 2SB1123-T, 2SB1123-U)

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 (32111603 / Transistores bipolares BJT)

Familia / Serie: Serie 2SB / Transistores BJT de potencia media en silicio

Tipo de Polaridad: PNP

Transistor Complementario (NPN): 2SD1623

Tipo de Encapsulado: PCP (compatible con SOT-89 / TO-243)

Tipo de Montaje: Montaje en superficie (SMD / SMT)

Desglose de la Nomenclatura

2S: Estándar industrial japonés (JIS) para dispositivos semiconductores de tres terminales

B: Transistor bipolar PNP para aplicaciones de alta frecuencia / media potencia

1123: Nú

Valores Máximos Absolutos (Ta = 25 °C)

Tensión Colector-Base (VCBO): -60 V

Tensión Colector-Emisor (VCEO): -50 V

Tensión Emisor-Base (VEBO): -6 V

Corriente Continua de Colector (IC): -2.0 A

Corriente de Colector de Pico (ICP): -4.0 A

Disipación Total de Colector (PC):

Montado en placa cerámica de 250 mm² x 0.8 mm: 1.3 W

Disipación en aire libre sin disipador adicional: 500 mW (0.5 W)

Temperatura de Unión (Tj): +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Características Eléctricas (Ta = 25 °C)

Corriente de Corte de Colector (ICBO): Menor o igual a -100 nA (a VCB = -50 V, IE = 0)

Corriente de Corte de Emisor (IEBO): Menor o igual a -100 nA (a VEB = -4 V, IC = 0)

Ganancia de Corriente Continua (hFE):

Condición: VCE = -2 V, IC = -100 mA

Rango de clasificación: 100 a 560 (R: 100-200, S: 140-280, T: 200-400, U: 280-560)

hFE a alta corriente (VCE = -2 V, IC = -1.5 A): Mínimo 40

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Máximo -0.4 V (típico -0.19 V a IC = -1 A, IB = -50 mA)

Tensión de Saturación Base-Emisor (VBE(sat)): Máximo -1.2 V (típico -0.94 V a IC = -1 A, IB = -50 mA)

Frecuencia de Transición / Producto Ganancia-Ancho de Banda (fT): Típica 150 MHz (a VCE = -10 V, IC = -50 mA)

Capacitancia de Salida (Cob): Típica 22 pF (a VCB = -10 V, f = 1 MHz)

Tiempos de Conmutación (Ta = 25 °C)

Tiempo de Encendido (ton): Típico 60 ns

Tiempo de Almacenamiento (tstg): Típico 450 ns

Tiempo de Caída (tf): Típico 40 ns

Construcción Mecánica y Dimensiones

Encapsulado: PCP / SOT-89 moldeado en resina epoxi retardante a la llama

Configuración de Pines (PCP / SOT-89):

Pin 1: Base (B)

Pin 3: Emisor (E)

Marcado en Encapsulado (Marking Code): BE seguido del código de rango hFE (ej. BER, BES, BET, BEU)

Dimensiones Exteriores: Aprox. 4.5 mm (largo) x 2.5 mm (ancho cuerpo) x 1.5 mm (alto); ancho total con pines aprox. 4.0 a 4.25 mm

Peso Aproximado: Aprox. 0.05 g

Condiciones Ambientales y Normativas

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): Nivel 1 (según J-STD-020)

Normativas y Homologaciones: Libre de plomo (Pb-Free), libre de halógenos (Halogen Free), cumplimiento directiva RoHS

Excitación y mando de cargas inductivas como solenoides, válvulas y relés electromecánicos.

Etapas de conmutación de alta velocidad en convertidores DC-DC y reguladores de voltaje.

Etapas de potencia y amplificación en equipos de audio portátiles y circuitos de control industrial.