RJH30E2

El RJH30E2 (o RJH30E2DPK) de Renesas Electronics es un transistor bipolar de puerta aislada de canal N (N-Channel Silicon IGBT) de alta velocidad con tecnología de zanja (Trench Gate IGBT), diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación rápida de pulsos de corriente, circuitos de excitación en pantallas de panel de plasma (PDP / Plasma Display Panel), fuentes de alimentación de alta frecuencia y controladores de descarga/estroboscópicos.

Diseñado para soportar una tensión máxima colector-emisor de 360 V y una corriente de colector continua nominal de 30 A (con una capacidad para picos de corriente pulsada de hasta 200 A o más en regímenes transitorios cortos), este dispositivo destaca por su baja tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat) típica de aprox. 1.5 V a 1.7 V), tiempos de conmutación ultracortos y una alta velocidad de recuperación. Se presenta comúnmente en un encapsulado estándar de potencia TO-3P / TO-247 (DPK), optimizado para una excelente disipación térmica en montaje sobre radiador.

Specs

Fabricante: Renesas Electronics Corporation (Japón)

Modelo / Referencia Completa: RJH30E2 (RJH30E2DPK-00#T0 / RJH30E2DPK)

Tipo de Transistor: IGBT de canal N en tecnología Trench Gate (N-Channel IGBT)

Tipo de Encapsulado: TO-3P / TO-247 (DPK / Through-Hole)

Desglose de la Nomenclatura

RJH: Serie de transistores IGBT de silicio de Renesas

30: Clase de tensió

E2: Código de revisión de chip de alta velocidad para conmutación de pulsos

Valores Máximos Absolutos (Ta = 25 °C)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 360 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 30 V

Corriente Continua de Colector (IC): 30 A (a Tc = 25 °C / 100 °C)

Corriente de Colector de Pico Pulsada (ICP): Aprox. 200 A a 250 A (pulso corto)

Disipación de Potencia Total (PC, Tc = 25 °C): Aprox. 100 W a 150 W

Temperatura de Unión Operativa (Tj): Hasta +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Características Eléctricas Estáticas (Ta = 25 °C)

Tensión de Ruptura Colector-Emisor (V(BR)CES): Mínimo 360 V (IC = 10 mA, VGE = 0 V)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):

Típico: 1.5 V a 1.7 V (a IC = 30 A, VGE = 15 V)

Máximo: 2.1 V

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 3.0 V a 5.5 V (VCE = 10 V, IC = 1 mA)

Corriente de Fuga de Colector (ICES): Máximo 10 uA a 100 uA (VCE = 360 V, VGE = 0 V)

Corriente de Fuga Puerta-Emisor (IGES): Máximo +/- 100 nA (VGE = +/- 30 V, VCE = 0 V)

Características Dinámicas y Conmutación

Capacitancia de Entrada (Cies): Aprox. 1200 pF a 1800 pF (VCE = 25 V, f = 1 MHz)

Capacitancia de Salida (Coes): Aprox. 100 pF a 180 pF

Capacitancia de Transferencia Inversa (Cres): Aprox. 40 pF a 70 pF

Tiempo de Retardo de Encendido (td(on)): Aprox. 20 ns a 40 ns

Tiempo de Subida (tr): Aprox. 30 ns a 60 ns

Tiempo de Retardo de Apagado (td(off)): Aprox. 80 ns a 130 ns

Tiempo de Caída (tf): Aprox. 40 ns a 80 ns (conmutación ultrarrápida)

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Encapsulado: TO-3P / TO-247 (3 terminales pasantes)

Disposición de Pines:

Pin 1: Puerta (Gate - G)

Pin 2: Colector (Collector - C, conectado a la aleta metálica posterior)

Pin 3: Emisor (Emitter - E)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.8 °C/W a 1.25 °C/W

Montaje: Orificio central para fijación con tornillo métrico M3 al disipador

Peso Aproximado: Aprox. 4.8 g a 5.5 g

Módulos de excitación de sustentación (Y-SUS / X-SUS) y descarga en paneles de plasma (PDP).

Circuitos de conmutación resonante y convertidores DC-DC de alta velocidad.

Controladores de lámparas estroboscópicas, flashes fotográficos y fuentes de pulso.

Inversores compactos y circuitos de control de potencia en electrónica industrial y de consumo.