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23N50E
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TRANSISTORES DE POTENCIA
Última actualización
23N50E23A/500V/1U
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Features
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Maintains both low power loss and low noise
Lower RDS(ON) characteristic
More controllable switching dv/dt by gate resistance
Smaller VGS ringing waveform during switching
Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 +- 0.5V)
High avalanche durability
Aplications
Applications
Switching regulators
DC-DC converters
23N50E
Referencias específicas
- MPN
- 23N50E
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