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IRF2807ZSPBF
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TRANSISTORES DE POTENCIA
Última actualización
IRF2807ZSPBFNCHANNELTO-263AB 75V 89A SMD
INFINEON
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Features
Voltaje Drenaje-Fuente: 75 V.
Corriente Continua de Drenaje: 89 A (máxima del chip, sujeta a disipación térmica).
Resistencia en estado encendido: ~9.4 m? (ultra baja para alta eficiencia).
Carga de Compuerta: 71 nC.
Disipación de Potencia: 170 W.
Temperatura de Operación: Hasta 175 °C.
Aplications
El IRF2807ZSPBF es un MOSFET de potencia de canal N de la familia HEXFET®, fabricado originalmente por International Rectifier (ahora Infineon Technologies).
Está
Robustez: Clasificación dinámica de dv/dt y excelente capacidad frente a avalanchas repetitivas.
Velocidad: Conmutación de alta velocidad.
Aplicaciones comunes: Convertidores AC-DC, puentes completos de potencia, fuentes push-pull, inversores y aplicaciones automotrices.
IRF2807ZSPBF
Referencias específicas
- MPN
- IRF2807ZSPBF
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