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2SK1119
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2SK1119
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Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon N Channel MOS FET
- Low drain-source ON resistance : RDS (ON)= 3.0 Ohms (typ.)
- High forward transfer admittance : Yfs = 2.0 S (typ.)
- Low leakage current : IDSS= 300uA (max) (VDS=800 V)
- Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS=10 V, ID= 1 mA)
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
2SK1119
Referencias específicas
- MPN
- 2SK1119
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