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2SK2412K
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Security policy
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Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- N-CHANNEL POWER MOS FET
- Low On-Resistance
- RDS(ON)1 = 70 mOhms MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 10 A)
- RDS(ON)2 = 95 mOhms MAX. (@VGS = 4 V,, ID = 10 A)
- Low Ciss Ciss = 860 pF TYP.
- Built-in G-S Gate Protection Diodes
- High Avalanche Capability Ratings
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
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Referencias específicas
- MPN
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