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GD200HFT60C8S
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GD200HFT60C8S
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Features
IGBT POWER MODULE
Low Vce(sat) trench IGBT technology
Low switching losses
Maximum juntion temperature 175 C
5us short circuit capability
Square RBSOA
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Low inductance case
Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD
Isolated copper baseplate using DBC technology
Aplications
Applications
AC inverterdrives
Switchhing mode power supplies
Electronic welders
GD200HFT60C8S
Referencias específicas
- MPN
- GD200HFT60C8S
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