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MG100Q2YS50
80,50 $
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG100Q2YS50100A/1200V/2U
No identificado
Delivery time : 1-2 semanas.
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- The Electrodes are Isolated from Case
- High Input Impedance
- Enhancement-Mode
- High Speed :
- tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
- Includes a Complete Half Bridge in
- One Package
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG100Q2YS50
IGBT 100A 1200V DUAL
MG100Q2YS50
Références spécifiques
- MPN
- MG100Q2YS50
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