• On request
MG50Q2YS40
search
  • MG50Q2YS40
  • MG50Q2YS40

MG50Q2YS40

57,75 $
Aucune taxe

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50Q2YS40

50A/1200V/2U

No Identificado

Delivery time :

Quantité
On request

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The Electrodes are Isolated from Case

High Input Impedance

Included a Complete Half Bridge in

One Package

Enhancement -Mode

High Speed :

tf=0.5us (Max.)

trr=0.5us (Max.)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat)= 4.0V (Max.)

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba Transistor Module

Toshiba

MG50Q2YS40

IGBT 50A 1200V DUAL

MG50Q2YS40

Références spécifiques

MPN
MG50Q2YS40
Commentaires (0)
Aucun avis n'a été publié pour le moment.