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MG200Q2YS65H

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG200Q2YS65H

200A/1200V/2U

No identificado

Delivery time :

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High Input Impedance
  • High Speed :
  • tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 3.6V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
MG200Q2YS65H

Références spécifiques

MPN
MG200Q2YS65H
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