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2SK2461
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
- Low ON-Resistance
- RDS(on)1 = 0.10 Ohms MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 4.0 A)
- RDS(on)2 = 0.15 Ohms MAX. (@ VGS = 4 V, ID = 4.0 A)
- Low ON-Resistance
- RD(ON)1 = 80mOHMS MAX. (@ Vgs = 10 V, ID = 10 A)
- RDS(ON)2 = 0.1 Ohms MAX, (@ VGS = 4 V, ID = 10A)
- LOW Ciss Ciss = 1400pF TYP.
- Built-in G-S Gate Protection Diodes
- High Avalanche Capability Ratings
Aplications
- APPLICATIONS
- High speed switching
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Références spécifiques
- MPN
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