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2SK410
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2SK410
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Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
Silicon N-Channel MOS FET
High Breakdown voltage
You can drecrease handling current
Included gate protection diode
No secundary-brealdown
Wide area of safe operation
Simple bias circuitry
No Thermal runaway
Aplications
Applications
HF/VHF power amplifier
2SK410
Références spécifiques
- MPN
- 2SK410
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