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2SK410
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2SK410
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Features
Silicon N-Channel MOS FET
High Breakdown voltage
You can drecrease handling current
Included gate protection diode
No secundary-brealdown
Wide area of safe operation
Simple bias circuitry
No Thermal runaway
Aplications
Applications
HF/VHF power amplifier
2SK410
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 2SK410
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