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2SK2462
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2SK2462
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Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
N-CHANNEL POWER MOS FET
Low ON-resistance
RDS(on)1 = 1.4 Ohms (Vgs = 10 V, ID = 8.0 A)
RDS(on)2 = 0.17 Ohms MAX. (@VGS = $ V, ID = 8.0 A) Low Ciss = 790 pF TYP.
Built-in G-S Gate Protection Diodes
High Avalanche Capability Ratings
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
2SK2462
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 2SK2462
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