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IRG4RC10S
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IRG4RC10S
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Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
- Extremely low voltage drop ; 1.0V typical 2A, 100u00c2u00b0C
- Estu00c3u00a1ndar : Optimized for minimum saturation
- voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
- Generation 4 IGBT design provides tighter parameter
- distribution and higher efficiency than previous generation
- Industry standar TO-252AA package
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
IRG4RC10S
Riferimenti Specifici
- MPN
- IRG4RC10S
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