- Nuovo
- On request
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
Última actualización
75V 82ATO220AB MOSFET
INFINEON
Delivery time : 1-2 semanas.
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
All products come with a warranty against manufacturing defects.
All trademarks, logos, and part numbers are the property of their respective owners click for more
El IRF2807PBF de Infineon Technologies (originalmente desarrollado por International Rectifier) es un transistor de potencia MOSFET de Canal N basado en la tecnología HEXFET. Este componente está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de corrientes elevadas con pérdidas por conducción extremadamente bajas, gracias a su reducida resistencia en estado activo (Rds(on)) de solo 13 mOhm.
Encapsulado en el formato estándar de inserción TO-220AB, el sufijo PBF certifica que es un dispositivo libre de plomo y conforme con la normativa RoHS. Es ampliamente utilizado en etapas de potencia de sistemas industriales, controladores de motores de corriente continua, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores y módulos de protección de baterías, ofreciendo una excelente robustez frente a avalanchas de tensión y elevadas temperaturas de trabajo de hasta 175 °C.
Specs
Fabricante: Infineon Technologies / International Rectifier
Modelo / Referencia: IRF2807PBF (Serie HEXFET Power MOSFET)
Tipo de Transistor: MOSFET de Canal N (N-Channel Power MOSFET)
Encapsulado: TO-220AB (Montaje por orificio pasante / THT)
Cumplimiento Ambiental: Libre de plomo (PBF) / Conforme con RoHS
Especificaciones Eléctricas Principales
Tensión Drenaje-Fuente (Vdss): 75 V
Corriente Continua de Drenaje (Id): 82 A (a Tc = 25 °C, límite de silicio; 75 A límite práctico de encapsulado)
Corriente Pulsada de Drenaje (Idm): 280 A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Activo (Rds(on)): 13 mOhm (0.013 Ohms) a Vgs = 10 V, Id = 43 A
Tensión Umbral de Puerta (Vgs(th)): 2.0 V a 4.0 V (a Id = 250 uA)
Tensión Máxima Puerta-Fuente (Vgs): +/- 20 V
Carga Total de Puerta (Qg): 160 nC (máximo a Vgs = 10 V)
Especificaciones Térmicas y de Potencia
Disipación de Potencia Máxima (Pd): 230 W (a Tc = 25 °C)
Resistencia Térmica Unión-Carcasa (RthJC): 0.65 °C/W
Rango de Temperatura de Operación y Almacenamiento: -55 °C a +175 °C
Energía de Avalancha en Pulso Único (EAS): 570 mJ
Etapas de conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) e inversores de corriente.
Controladores de velocidad para motores de Corriente Continua (DC) y PWM de alta potencia.
Módulos de protección contra polaridad inversa y rectificación síncrona.
Circuitos de conmutación de carga en equipos de automatización industrial, automoción y sistemas de energía renovable.