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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
Última actualización
75V 82ATO220AB MOSFET
INFINEON
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El IRF2807PBF de Infineon Technologies (originalmente desarrollado por International Rectifier) es un transistor de potencia MOSFET de Canal N basado en la tecnología HEXFET. Este componente está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de corrientes elevadas con pérdidas por conducción extremadamente bajas, gracias a su reducida resistencia en estado activo (Rds(on)) de solo 13 mOhm.
Encapsulado en el formato estándar de inserción TO-220AB, el sufijo PBF certifica que es un dispositivo libre de plomo y conforme con la normativa RoHS. Es ampliamente utilizado en etapas de potencia de sistemas industriales, controladores de motores de corriente continua, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores y módulos de protección de baterías, ofreciendo una excelente robustez frente a avalanchas de tensión y elevadas temperaturas de trabajo de hasta 175 °C.
Specs
Fabricante: Infineon Technologies / International Rectifier
Modelo / Referencia: IRF2807PBF (Serie HEXFET Power MOSFET)
Tipo de Transistor: MOSFET de Canal N (N-Channel Power MOSFET)
Encapsulado: TO-220AB (Montaje por orificio pasante / THT)
Cumplimiento Ambiental: Libre de plomo (PBF) / Conforme con RoHS
Especificaciones Eléctricas Principales
Tensión Drenaje-Fuente (Vdss): 75 V
Corriente Continua de Drenaje (Id): 82 A (a Tc = 25 °C, límite de silicio; 75 A límite práctico de encapsulado)
Corriente Pulsada de Drenaje (Idm): 280 A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Activo (Rds(on)): 13 mOhm (0.013 Ohms) a Vgs = 10 V, Id = 43 A
Tensión Umbral de Puerta (Vgs(th)): 2.0 V a 4.0 V (a Id = 250 uA)
Tensión Máxima Puerta-Fuente (Vgs): +/- 20 V
Carga Total de Puerta (Qg): 160 nC (máximo a Vgs = 10 V)
Especificaciones Térmicas y de Potencia
Disipación de Potencia Máxima (Pd): 230 W (a Tc = 25 °C)
Resistencia Térmica Unión-Carcasa (RthJC): 0.65 °C/W
Rango de Temperatura de Operación y Almacenamiento: -55 °C a +175 °C
Energía de Avalancha en Pulso Único (EAS): 570 mJ
Etapas de conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) e inversores de corriente.
Controladores de velocidad para motores de Corriente Continua (DC) y PWM de alta potencia.
Módulos de protección contra polaridad inversa y rectificación síncrona.
Circuitos de conmutación de carga en equipos de automatización industrial, automoción y sistemas de energía renovable.