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IRF2807PBF

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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA

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DatasheetIRF2807PBF

75V 82ATO220AB MOSFET

INFINEON

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Features

El IRF2807PBF de Infineon Technologies (originalmente desarrollado por International Rectifier) es un transistor de potencia MOSFET de Canal N basado en la tecnología HEXFET. Este componente está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de corrientes elevadas con pérdidas por conducción extremadamente bajas, gracias a su reducida resistencia en estado activo (Rds(on)) de solo 13 mOhm.

Encapsulado en el formato estándar de inserción TO-220AB, el sufijo PBF certifica que es un dispositivo libre de plomo y conforme con la normativa RoHS. Es ampliamente utilizado en etapas de potencia de sistemas industriales, controladores de motores de corriente continua, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores y módulos de protección de baterías, ofreciendo una excelente robustez frente a avalanchas de tensión y elevadas temperaturas de trabajo de hasta 175 °C.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies / International Rectifier

Modelo / Referencia: IRF2807PBF (Serie HEXFET Power MOSFET)

Tipo de Transistor: MOSFET de Canal N (N-Channel Power MOSFET)

Encapsulado: TO-220AB (Montaje por orificio pasante / THT)

Cumplimiento Ambiental: Libre de plomo (PBF) / Conforme con RoHS

Especificaciones Eléctricas Principales

Tensión Drenaje-Fuente (Vdss): 75 V

Corriente Continua de Drenaje (Id): 82 A (a Tc = 25 °C, límite de silicio; 75 A límite práctico de encapsulado)

Corriente Pulsada de Drenaje (Idm): 280 A

Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Activo (Rds(on)): 13 mOhm (0.013 Ohms) a Vgs = 10 V, Id = 43 A

Tensión Umbral de Puerta (Vgs(th)): 2.0 V a 4.0 V (a Id = 250 uA)

Tensión Máxima Puerta-Fuente (Vgs): +/- 20 V

Carga Total de Puerta (Qg): 160 nC (máximo a Vgs = 10 V)

Especificaciones Térmicas y de Potencia

Disipación de Potencia Máxima (Pd): 230 W (a Tc = 25 °C)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (RthJC): 0.65 °C/W

Rango de Temperatura de Operación y Almacenamiento: -55 °C a +175 °C

Energía de Avalancha en Pulso Único (EAS): 570 mJ

Aplications

Etapas de conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) e inversores de corriente.

Controladores de velocidad para motores de Corriente Continua (DC) y PWM de alta potencia.

Módulos de protección contra polaridad inversa y rectificación síncrona.

Circuitos de conmutación de carga en equipos de automatización industrial, automoción y sistemas de energía renovable.

IRF2807PBF

Referencias específicas

MPN
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