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MJ900
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MJ900
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(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon PNP Darlington Power Transistor
- Collector-Emitter Breakdown Voltage-
- V(BR)CEO = 60 V (Min.)
- High DC Current Gain-
- hfe = 1000 (Min.) @ Ic = 3 A
- Low Collector Saturation Voltage-
- VCE(sat) = -2.0 V (Max.) @ Ic = 3 A
Aplications
- Applications
- General purpose amplifier applications
Miscellaneous * Semiconductor
Miscellaneous
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Semiconductor
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Riferimenti Specifici
- MPN
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