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MJ900

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DatasheetMJ900

8A/60V/1U

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • Silicon PNP Darlington Power Transistor
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage-
  • V(BR)CEO = 60 V (Min.)
  • High DC Current Gain-
  • hfe = 1000 (Min.) @ Ic = 3 A
  • Low Collector Saturation Voltage-
  • VCE(sat) = -2.0 V (Max.) @ Ic = 3 A

Aplications

  • Applications
  • General purpose amplifier applications

Miscellaneous * Semiconductor

Miscellaneous

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Semiconductor

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Referências específicas

MPN
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