PSS75NE1CT

El PSS75NE1CT de Mitsubishi Electric (familia Large DIPIPM / DIPIPM Series) es un módulo de potencia inteligente en encapsulado DIP (Dual In-Line Package Intelligent Power Module), diseñado para el accionamiento y control de inversores trifásicos en motores de CA y motores síncronos de imanes permanentes (PMSM) en aplicaciones de climatización industrial, tracción ligera, servodrives y sistemas de bombeo de media y alta potencia.

Construido en una carcasa hermética de resina de transferencia con aislamiento de alta conductividad térmica para disipación directa sobre disipador térmico, integra un puente inversor trifásico completo compuesto por 6 transistores IGBT con tecnología CSTBT (Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor), diodos ultrarrápidos de libre circulación (FWD) y circuitos integrados dedicados HVIC y LVIC para el disparo y protección directa. Opera con una tensión máxima colector-emisor de 1200 V (VCES) y una corriente nominal de colector de 75 A (IC) alimentado con un bus de control de 15 VDC, disponiendo de lógica compatible con microcontroladores de 3.3 V y 5 V, funciones integradas de protección contra caída de tensión (UV), detección de sobrecorriente/cortocircuito y salida de alarma de fallo (Fault Output).

Specs

Fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor

Modelo / Referencia: PSS75NE1CT (Serie Large DIPIPM)

Código de Producto / UNSPSC: 32111705 (32111700 / Módulos de potencia IGBT e IPM / IGBT Power Modules)

Familia / Serie: Large DIPIPM Series (Inversores trifásicos integrados)

Tipo de Componente: Módulo de potencia inteligente trifásico integrado (3-Phase Inverter DIP IPM)

Tipo de Montaje: Montaje por inserción en PCB (Through-Hole) con fijación mecánica sobre disipador mediante tornillos

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Terminales del Lado de Control y Señal (Baja Tensión):

VUFB, VVFB, VWFB: Terminales de alimentación de diodos bootstrap / fuentes flotantes para ramas altas

UP, VP, WP: Entradas de disparo de puerta para IGBTs de rama alta (lógica activa baja)

VPC: Común de control para ramas altas

UN, VN, WN: Entradas de disparo de puerta para IGBTs de rama baja

Fo: Salida de alarma de fallo por sobrecorriente o subtensión (Fault Output)

CIN: Entrada del comparador de detección de sobrecorriente/cortocircuito

VNC: Terminal comú

VD: Alimentación positiva del circuito de control (+15 VDC)

Terminales del Lado de Potencia (Alta Tensión):

P: Entrada positiva del bus de corriente continua (+DC Bus / +HVDC)

U, V, W: Salidas de fase trifásica hacia el motor

NU, NV, NW: Terminales de emisor de ramas bajas (para sensado de corriente individual o mediante resistencia shunt externa)

Desglose de la Nomenclatura

P: Módulo DIPIPM de Mitsubishi Electric

SS: Prefijo de encapsulado DIPIPM de montaje en placa

75: Corriente nominal continua de colector: 75 A

E: Clase de aislamiento térmico y dieléctrico reforzado

1: Nivel de tensión nominal: 1200 V

CT: Versión de silicio Trench CSTBT y acabado de terminales compatible con RoHS

Especificaciones Eléctricas de Potencia

Configuración del Inversor: Puente trifásico completo (6 IGBT + 6 Diodos FWD antiparalelo)

Tensión Colector-Emisor Máxima (VCES): 1200 V

Tensión del Bus DC de Trabajo (VCC): Hasta 800 VDC (máximo transitorio: 1000 V)

Corriente Nominal Continua de Colector (IC): 75 A (a Tc = 25 °C)

Corriente de Pico Pulsada de Colector (ICP): 150 A (máx. 1 ms)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 1.9 V a 2.3 V (a IC = 75 A, VD = 15 V)

Caída de Tensión Directa del Diodo (VEC): Típico 2.0 V a 2.4 V

Frecuencia de Conmutación PWM Recomendada: Hasta 15 kHz - 20 kHz

Especificaciones del Circuito de Control y Protecciones

Tensión de Alimentación de Control (VD): 13.5 VDC a 16.5 VDC (típico 15.0 VDC)

Compatibilidad Lógica: Entradas directas de nivel 3.3 V y 5 V (lógica activa baja)

Protección contra Caída de Tensión (UV): Bloqueo automático por subtensión en la alimentació

Protección contra Cortocircuito (SC): Comparador interno ultrarrápido conectado a resistencia de sensado en el bus

Aislamiento Dieléctrico (Viso): 2,500 Vrms durante 1 minuto (entre terminales y placa base metálica)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Encapsulado Large DIPIPM de resina de transferencia

Dimensiones del Cuerpo: Aprox. 52 mm a 79 mm (longitud) x 30 mm a 40 mm (ancho) x 8 mm a 9 mm (grosor)

Fijación al Disipador: 2 orificios laterales para tornillos métricos M4

Par de Apriete Recomendado: 0.98 N·m a 1.47 N·m

Peso Aproximado: Aprox. 45 g a 60 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Rango de Temperatura de Operación de Unión (Tj): -20 °C a +150 °C

Rango de Temperatura de Carcasa (Tc): -20 °C a +100 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Normativas y Homologaciones: Homologación UL Recognized (archivo E80276), marcado CE, directiva RoHS

Inversores de frecuencia para compresores de climatización y bombas de calor industriales (HVAC trifásicos a 400 V).

Control vectorial de velocidad y par en motores de inducción y servomotores industriales.

Accionamientos para bombas industriales, ventiladores de extracción y maquinaria textil.

Convertidores e inversores para sistemas de alimentación ininterrumpida y filtrado activo.

Etapas de potencia para vehículos eléctricos ligeros y carretillas elevadoras.