40N60FD2

El 40N60FD2 (código de parte completo SGT40N60FD2PN / serie Field Stop II) de Silan Microelectronics es un transistor bipolar de puerta aislada con diodo de recuperación rápida integrado (Field Stop Trench IGBT with Anti-Parallel Fast Recovery Diode), diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y eficiencia como inversores solares fotovoltaicos, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), fuentes conmutadas (SMPS), soldadoras inversoras y etapas de corrección de factor de potencia (PFC).

Diseñado con tecnología Trench Field Stop de segunda generación en un encapsulado estándar pasante TO-3P / TO-247, este componente opera con una tensión de ruptura colector-emisor (VCES) de 600 V, una corriente continua nominal de colector (IC) de 40 A a 100 °C (hasta 80 A a 25 °C) y pulsos repetitivos de pico de hasta 160 A. Se caracteriza por una reducida tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat) típica de 1.65 V a 1.90 V), coeficiente térmico positivo para facilitar la conexión en paralelo, bajas pérdidas de conmutación por apagado y un diodo de recuperación ultrarrápida integrado (FRD) con baja carga de recuperación inversa.

Specs

Fabricante: Silan Microelectronics (Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.)

Modelo / Referencia: 40N60FD2 (SGT40N60FD2PN / SGT40N60FD2)

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 (32111603 / Transistores IGBT discretos)

Familia / Serie: Serie Field Stop II Trench IGBT (SGT Series)

Tipo de Componente: Transistor IGBT discreto con diodo antiparalelo (Discrete IGBT with FRD)

Tipo de Encapsulado: TO-3P / TO-247-3L (orificio pasante)

Tipo de Montaje: Inserción por orificio pasante en PCB (Through-Hole - THT) y fijación a disipador mediante tornillo o clip

Desglose de la Nomenclatura

SGT: Silan Insulated Gate Bipolar Transistor (Silan IGBT)

40: Corriente continua asignada de colector de 40 A (a Tc = 100 °C)

N: Canal N (N-Channel)

60: Tensión asignada de 600 V (60 x 10 V)

FD2: Diodo rápido integrado (Fast Diode) y tecnología Field Stop II

PN: Código de encapsulado TO-3P / TO-247

Valores Máximos Absolutos (Tc = 25 °C)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 600 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V

Corriente Continua de Colector (IC a Tc = 25 °C): 80 A

Corriente Continua de Colector (IC a Tc = 100 °C): 40 A

Corriente de Colector de Pico Pulsada (ICM / 1 ms): 160 A

Corriente Continua del Diodo en Conducción Directa (IF a Tc = 100 °C): 40 A

Corriente Directa Pulsada del Diodo (IFM): 160 A

Disipación Total de Potencia (PD a Tc = 25 °C): Aprox. 270 W a 310 W

Temperatura de Unión de Operación (Tj): -55 °C a +150 °C (hasta +175 °C según versión)

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Características Eléctricas (Tj = 25 °C)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típica 1.65 V a 1.90 V (a IC = 40 A, VGE = 15 V)

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 4.0 V a 6.5 V (a IC = 1 mA, VCE = VGE)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típica 1.60 V a 2.00 V (a IF = 40 A, VGE = 0 V)

Capacitancia de Entrada (Cies): Aprox. 2000 pF a 2500 pF (a VCE = 30 V, f = 1 MHz)

Carga Total de Puerta (Qg): Aprox. 90 nC a 120 nC (a VCC = 400 V, IC = 40 A, VGE = 15 V)

Tiempos Dinámicos de Conmutación (inductivo):

Tiempo de encendido (td(on)): Aprox. 25 ns a 40 ns

Tiempo de subida (tr): Aprox. 30 ns a 50 ns

Tiempo de retardo de apagado (td(off)): Aprox. 120 ns a 180 ns

Tiempo de caída (tf): Aprox. 35 ns a 60 ns

Características Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión a Carcasa IGBT (Rth(j-c)): Aprox. 0.40 °C/W a 0.48 °C/W

Resistencia Térmica Unión a Carcasa Diodo (Rth(j-c)): Aprox. 0.85 °C/W a 1.05 °C/W

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador (Rth(c-s)): 0.24 °C/W (con pasta térmica aplicada)

Disposición de Pines (TO-3P / TO-247):

Pin 1: Puerta / Gate (G)

Pin 2: Colector / Collector (C) (conectado a la pestaña metálica trasera)

Pin 3: Emisor / Emitter (E)

Par de Apriete Recomendado (Tornillo M3): 0.6 a 0.8 Nm

Peso Aproximado: Aprox. 5.5 g a 6.0 g

Condiciones Ambientales y Normativas

Normativas y Homologaciones: Libre de plomo (Pb-Free), libre de halógenos, directiva RoHS

Etapas de potencia e inversores en máquinas de soldadura eléctrica por arco (SMAW/TIG).

Convertidores elevadores de corrección de factor de potencia (PFC activo).

Inversores fotovoltaicos residenciales y sistemas de energía ininterrumpida (UPS).

Fuentes de alimentación conmutadas industriales (SMPS) y controladores de motores de inducción.