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IKW50N60H3

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MODULOS IGBT TRANSISTOR BIPOLAR

Última actualización

DatasheetIKW50N60H3

50A/600V/1U

No Identificado

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Features

IGBT in Trench and Fieldstop technology

Very low VCE(sat)

Low EMI

Very soft, fast recovery anti-parallel diode

maximum juntion temperature 175 C

qualified accoirding to JEDEC for target applications

Pb-free lead plating ; RoHS compliant

complete product spectrum and PSpice Models

Aplications

Applications

welding converters

converters with high switching frequency

IKW50N60H3

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
IKW50N60H3
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