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IKW50N60H3
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MODULOS IGBT TRANSISTOR BIPOLAR
Última actualización
IKW50N60H350A/600V/1U
No Identificado
Delivery time :
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
IGBT in Trench and Fieldstop technology
Very low VCE(sat)
Low EMI
Very soft, fast recovery anti-parallel diode
maximum juntion temperature 175 C
qualified accoirding to JEDEC for target applications
Pb-free lead plating ; RoHS compliant
complete product spectrum and PSpice Models
Aplications
Applications
welding converters
converters with high switching frequency
IKW50N60H3
Références spécifiques
- MPN
- IKW50N60H3
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