2MBI150UM-120-50

El Fuji Electric 2MBI150UM-120-50 es un módulo de potencia industrial de semiconductores basado en tecnología IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). A diferencia de las series 7MBP (que son módulos inteligentes IPM con circuitos de control nativos), la serie 2MBI de Fuji consiste en bloques de transistores IGBT estándar de alta potencia.

Este componente requiere una tarjeta de disparo externa (gate driver) para controlar sus conmutaciones y está

Decodificación del Modelo y Datos Eléctricos

2MBI: Prefijo de Fuji Electric que indica una configuración de Módulo IGBT Doble (Dual o tipo Half-Bridge / Medio Puente). Contiene dos transistores IGBT conectados en serie en un solo encapsulado, compartiendo un nodo común. Esto permite armar una fase completa de un inversor; combinando tres de estos módulos se construye un puente trifásico completo.

150: Capacidad de corriente nominal de colector (Ic) de 150 Amperios continuos (a una temperatura controlada de carcasa). Puede manejar corrientes de pico transitorias en cortas duraciones de hasta el doble de su valor nominal.

UM: Especifica la serie del diseño del chip de silicio y la geometría física del módulo. La serie U incorpora celdas de tecnología de compuerta de trinchera (Trench Gate) y tecnología de parada de campo (Field Stop), lo que reduce drásticamente las pérdidas de voltaje en estado de conducción (Vce sat) y el estrés térmico.

-120: Especifica el voltaje de bloqueo máximo entre Colector y Emisor (Vces) de 1200 Voltios (1.2 kV). Este nivel de aislamiento lo capacita para operar con total margen de seguridad en redes industriales trifásicas de 380V, 440V y 480V AC.

-50: Código que identifica la revisión de fábrica del encapsulado y el cumplimiento de normativas de materiales (como la directiva de reducción de sustancias peligrosas RoHS).

Componentes Internos del Módulo

Dentro de la carcasa robusta del 2MBI150UM-120-50 se encuentran:

Dos transistores IGBT: Conectados en una topología de medio puente, optimizados para conmutación de alta velocidad y baja pérdida.

Diodos de recuperación rápida en antiparalelo (FWD - Free Wheeling Diodes): Cada uno de los dos IGBTs tiene un diodo conectado en paralelo invertido. Estos diodos absorben y redirigen las corrientes inductivas inversas generadas por los devanados del motor cuando el transistor se apaga, evitando que los picos de voltaje destruyan el componente.

Debido a su capacidad para manejar 150A a 1200V en un formato de medio puente, este módulo se utiliza masivamente en:

1. Variadores de Frecuencia de Gran Capacidad (VFD)

Es la etapa de potencia de salida en inversores de velocidad para motores trifásicos robustos (típicamente en rangos de 40 a 75 HP, dependiendo del diseño del equipo), utilizados en grúas viajeras, molinos y extrusoras.

2. Fuentes de Alimentación Ininterrumpidas (UPS) Industriales

Se emplea en los inversores de los sistemas UPS trifásicos de gran tamaño encargados de respaldar la energía en centros de datos, hospitales y subestaciones eléctricas.

3. Inversores para Sistemas de Energía Renovable

Forma parte de las etapas de conversión de corriente directa a corriente alterna en inversores solares comerciales y controladores de turbinas eólicas medianas.

4. Máquinas de Soldar Industriales de Alta Potencia

Utilizado en la etapa de conmutación primaria de equipos de soldadura por arco de alta gama y sistemas de corte por plasma industrial.