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FF200R12KS4

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MODULOS IGBT

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DatasheetFF200R12KS4

200A/1200V/2U

INFINEON

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Features

El FF200R12KS4 es un módulo de potencia dual IGBT (Dual IGBT Power Module) de alta velocidad, diseñado y fabricado por la firma alemana Infineon Technologies, el líder mundial absoluto en semiconductores de potencia y electrónica para automoción e industria pesada.

Este bloque electrónico de conmutación masiva está configurado internamente en topología de medio puente (Half-Bridge). Su función en la planta industrial es actuar como el conmutador de estado sólido principal en las etapas de inversión de variadores de frecuencia, inversores solares y fuentes de poder de alta frecuencia, troceando corrientes elevadas con pérdidas de energía mínimas.

1. Desglose Técnico de la Nomenclatura (Especificaciones de Potencia)

Cada sección del código grabado en la carcasa de este módulo Infineon detalla un límite operativo estricto calibrado para el trabajo pesado:

FF (Configuración Dual / Half-Bridge): Indica que el módulo aloja dos transistores IGBT conectados en serie dentro del mismo chasis, formando una rama completa de fase (Medio Puente). Cada uno de los dos IGBTs cuenta con su propio diodo de marcha libre (Emcon Diode) conectado en antiparalelo para disipar las corrientes inversas inductivas.

200 (Capacidad de Corriente Nominal): Está

R12 (Clasificación de Voltaje): Los chips de silicio poseen un voltaje de ruptura de 1200 Voltios (V). Esto lo vuelve ideal para trabajar con total seguridad en redes eléctricas trifásicas industriales de 380V, 440V y 480V CA, tolerando los altos voltajes del Bus de CD (hasta 800V VCD de operación regular).

KS4 (Serie Tecnológica / Alta Velocidad): Especifica que pertenece a una familia de IGBTs optimizada para conmutación de alta velocidad (High-Speed Switching). Utiliza una estructura de baja carga de compuerta y tiempos de apagado ultra-cortos, reduciendo drásticamente las pérdidas por conmutación cuando se opera a altas frecuencias (típicamente hasta 20 kHz - 30 kHz).

Terminal 1: Conexión directa al lado positivo del Bus de Corriente Directa (CD+).

Terminal 2: Conexión directa al lado negativo del Bus de Corriente Directa (CD-).

Terminal 3: Es el punto medio de la serie, el cual se conecta directamente a una de las fases del motor eléctrico o transformador de salida.

Pines Delgados (G1, E1, G2, E2): Son las terminales de control de baja potencia donde se conectan los cables de la tarjeta de disparo (Gate Driver) para encender y apagar los transistores alternadamente.

3. Características Avanzadas y Resistencia Térmica

Placa Base de Cobre con Aislamiento de Alúmina (Al2O3): Los chips de silicio están soldados sobre un sustrato cerámico aislado térmicamente. Esto proporciona un aislamiento eléctrico superior a 2500 V entre cualquiera de las terminales de fuerza y la base metálica inferior que toca el disipador, garantizando la seguridad eléctrica en el gabinete.

Baja Inductancia Parásita: El diseño de las barras de cobre internas dentro de la carcasa plástica está optimizado geométricamente para cancelar los campos magnéticos opuestos. Esto suprime los peligrosos picos de sobretensión (voltaje de pico transitorio) que se generan al apagar corrientes de 200A en microsegundos.

Aplications

Debido a su combinación de velocidad (KS4), capacidad de 200A y voltaje de 1200V, el Infineon FF200R12KS4 se despliega de manera continua en:

Etapas Inversoras de Variadores de Frecuencia (VFD): Se instalan tres módulos de este tipo en paralelo para formar el puente trifásico completo encargado de controlar grandes motores de inducción en bombas de agua pesadas, ventiladores de tiro forzado y extrusoras.

Fuentes de Poder para Soldadura Industrial Pesada: Inversores de alta frecuencia encargados de rectificar y trocear la corriente para estabilizar arcos de soldadura MIG/TIG de gran amperaje.

Sistemas de Calentamiento por Inducción: Conmutadores rápidos utilizados para generar corrientes parásitas de alta frecuencia en bobinas diseñadas para fundir o realizar tratamientos térmicos en metales.

Inversores Solares Centralizados: Etapa de conversión de potencia en granjas fotovoltaicas industriales para elevar y sincronizar la energía hacia la red eléctrica de alta tensión.

Infineon, Formerly Eupec IGBTs

Infineon, Formerly Eupec

FF200R12KS4

IGBT, 200A, 1200V ; Type; Dual

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 200 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 5 MilliAmps

Iges Max; 0.4 MicroAmps

Vge(th) Min/Max; 6.5 Volts

Vce(sat) Max; 3.7 Volts

Height (mm); 30.9

Width (mm); 106.4

Depth (mm); 61.4 ;

FF200R12KS4

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
FF200R12KS4
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