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GT8J101
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GT8J101
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Features
SILICON N-CHANNEL IGBT
High Input Impedance
High Speed : tf=0.5us (MAX.)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)= 4.0 V (Max.)
Enhancement-mode
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
Miscellaneous * Semiconductor
Miscellaneous
GT8J101
Semiconductor
GT8J101
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- GT8J101
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