• On request
MG75Q2YS11
search
  • MG75Q2YS11
  • MG75Q2YS11

MG75Q2YS11

$ 65,75
Sem imposto

MODULO TRANSISTOR DE POTENCIA DE SWITCHEO

Última actualización

DatasheetMG75Q2YS11

75A/1200V/2U

No Identificado

Delivery time :

Quantidade
On request

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

High input impedance

High speed :

tf = 1.0us (Max.)

trr = 0.5us (Max.)

Low saturation VCE(sat)=2.7V (Max.)

Enhancement mode

The electrodes are isolated from case

Includes a complete half btidge card

in one package

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

MG75Q2YS11

Referências específicas

MPN
MG75Q2YS11
Comentários (0)
Nenhuma avaliação de cliente no momento.