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MTW8N60E
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MTW8N60E
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
Power MOSFET
Robust High Voltage Termination
Avalanche Energy Specified
Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Dicrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridege Circuits
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
Isolated Mounting Hole Reduces Mounting Hardware
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
MTW8N60E
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- MTW8N60E
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