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MTW8N60E
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MTW8N60E
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Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Power MOSFET
- Robust High Voltage Termination
- Avalanche Energy Specified
- Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Dicrete Fast Recovery Diode
- Diode is Characterized for Use in Bridege Circuits
- IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
- Isolated Mounting Hole Reduces Mounting Hardware
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
MTW8N60E
Riferimenti Specifici
- MPN
- MTW8N60E
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