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MTW8N60E
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Sin impuestos
MTW8N60E
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Power MOSFET
- Robust High Voltage Termination
- Avalanche Energy Specified
- Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Dicrete Fast Recovery Diode
- Diode is Characterized for Use in Bridege Circuits
- IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
- Isolated Mounting Hole Reduces Mounting Hardware
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
MTW8N60E
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- MTW8N60E
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