- Sobre pedido
IRFB4229
7,88 $
Sin impuestos
IRFB4229
Security policy
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
HEXFET Power MOSFET
Advanced process Technologt
Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low Epulse Rating to Reduce Power Dissipation in PDP Sustain, Energy recovery and Pass Switch Applications
Low QG for Fast Responce
High Repetitive Peak Current Capability for Reliable Operation
Short Fall & Rise Times for Fast Switching
175 C Operating Juntion Temperature for Improved Ruggedness
Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
Class-D Audio Amplifier 300W-500W (Half-bridge)
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
IRFB4229
Referencias específicas
- MPN
- IRFB4229
Comentarios (0)
No hay reseñas de clientes en este momento.
16 otros productos en la misma categoría:
Productos más vistos
