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MG50Q1BS11

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50Q1BS11

50A/600V/1U

No Identificado

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(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The Electrodes are Isolated from Case

High Input Impedance

Enhancement -Mode

High Speed :

tf=1.0us (Max.) (IC = 50A)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat)= 2.70V (Max.) (IC = 50A)

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG50Q1BS11

IGBT 50A 1200V SINGLE

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Referencias específicas

MPN
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