• On request
MG50Q1BS11
search
  • MG50Q1BS11
  • MG50Q1BS11

MG50Q1BS11

$ 47,25
Sem imposto

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50Q1BS11

50A/600V/1U

No Identificado

Delivery time :

Quantidade
On request

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The Electrodes are Isolated from Case

High Input Impedance

Enhancement -Mode

High Speed :

tf=1.0us (Max.) (IC = 50A)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat)= 2.70V (Max.) (IC = 50A)

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG50Q1BS11

IGBT 50A 1200V SINGLE

MG50Q1BS11

Referências específicas

MPN
MG50Q1BS11
Comentários (0)
Nenhuma avaliação de cliente no momento.