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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
50A/600V/1U
No Identificado
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated from Case
High Input Impedance
Enhancement -Mode
High Speed :
tf=1.0us (Max.) (IC = 50A)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat)= 2.70V (Max.) (IC = 50A)
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba
MG50Q1BS11
IGBT 50A 1200V SINGLE