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MG50Q6ES11

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50Q6ES11

50A/1200V/6U

No Identificado

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The Electrodes are Isolated from Case

6 IGBTs are Built Into 1 Package

Enhancement-Mode

Low Saturation Voltage :

VCE(sat) = 4.0V (Max.)

High Speed :

tf = 0.5us (Max.)

Aplications

Semiconductors High Power Equipment Repair

MG50Q6ES11

Referências específicas

MPN
MG50Q6ES11
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