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2SK2482
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Features
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Low On-Resistance
RDS (on) = 4.0 Ohms (VGS = 10 V, Io = 3.0 A)
Low Ciss Ciss = 900 pF TYP.
High Avalanche Capability Ratings
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
2SK2482
Referencias específicas
- MPN
- 2SK2482
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