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2SK3562
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2SK3562
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Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon N Channel MOS Type Transistor
- Low drain-source ON resistance : RDS(ON) =0.9 Ohms (typ)
- High forward transfer admittance : Yfs = 5.0 S (typ)
- Low leakage current : IDSS = 100 uA (VDS = 600 V)
- Enhancement mode : Vth = 2.0 - 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Aplications
- Applications
- Switching Regulator
2SK3562
Referencias específicas
- MPN
- 2SK3562
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