- Sobre pedido
IRG4PF50WDPBF
$1.31
Sin impuestos
IRG4PF50WDPBF
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Envíos y devoluciones
Todos los productos cuentan con garantía contra defectos de fabricación
Trademark Disclaimer
Todas las marcas, logotipos y números de parte son propiedad de sus dueños click para más info.
Features
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Optimized for use in Welding and Switch-Mode
Power Supply applications
Industry benchmark switching losses improve
efficiency of all power supplies topologies
50% reduction of Eoff parameter
Low IGBT conduction losses
Lastest technology IGBT design offers tighter
parameter distribution coupled with
exceptional reliability
IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use
in bridge configurations
Industry standar TO-247AC package
Leads-Free
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
IRG4PF50WDPBF
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- IRG4PF50WDPBF
Comentarios (0)
No hay opiniones de clientes por el momento.
16 otros productos de la misma categoría:
Productos más vistos
