MG50J6ES50

El MG50J6ES50 de TOSHIBA (familia GTR Module / Silicon N-Channel IGBT) es un módulo de potencia trifásico de seis transistores bipolares de puerta aislada (Six-Pack / 3-Phase Inverter Bridge IGBT Module), diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia, variadores de frecuencia (VFD), control y accionamiento de motores de corriente alterna, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

Fabricado en una envolvente compacta con base metálica aislada galvánicamente (isolated baseplate) para montaje directo sobre disipador térmico, integra un puente inversor trifásico completo compuesto por 6 transistores IGBT de canal N en modo enriquecimiento emparejados con diodos de recuperación rápida en antiparalelo (FRD). Opera con una tensión máxima colector-emisor de 600 V y una corriente nominal de colector de 50 A (con picos ICP de hasta 100 A), ofreciendo alta impedancia de entrada por tecnología de puerta MOS, baja tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)), tiempos de conmutación veloces (tf tí

Specs

Fabricante: Toshiba Corporation (Toshiba Semiconductor)

Modelo / Referencia: MG50J6ES50 (Serie GTR / 6-Pack IGBT)

Código de Producto / UNSPSC: 23153100 (32111700 / 32111718 Módulos de potencia IGBT / Inversor trifásico)

Familia / Serie: Serie GTR Module (N-Channel IGBT Module)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT trifásico de 6 unidades (Six-Pack / 3-Phase Inverter Bridge)

Configuración Interna: 6 IGBTs en puente trifásico con 6 diodos de libre circulación en antiparalelo (6U / 3 ramas de medio puente)

Tipo de Montaje: Fijación atornillada a disipador térmico mediante orificios de montaje con placa base aislada eléctricamente

Desglose de la Nomenclatura

MG: Identificador de módulo de potencia Toshiba (Molded GTR / IGBT Module)

50: Capacidad nominal de corriente de colector continua: 50 A

J: Código de clase de tensión de 600 V (VCES)

6E: Configuración de seis elementos IGBT / inversor trifásico integrado (Six-Pack)

S50: Generación de chip de silicio y variante de encapsulado con diodos ultra rápidos

Valores Máximos Absolutos (Tc = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 600 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): ±20 V

Corriente Continua de Colector (IC): 50 A (DC)

Corriente de Pico de Colector (ICP): 100 A (pulso de 1 ms)

Corriente Directa de Diodo (IF): 50 A (DC)

Corriente de Pico en Diodo (IFM): 100 A (pulso de 1 ms)

Disipación Máxima de Potencia por Colector (PC): Aprox. 200 W a 250 W (por elemento, Tc = 25 °C)

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (VISOL): 2500 VAC (50/60 Hz, 1 minuto entre terminales y base metálica)

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Características Eléctricas de Conmutación (Tj = 25 °C)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 2.1 V (máximo 2.7 V a IC = 50 A, VGE = 15 V)

Tensión Umbral de Puerta (VGE(off) / VGE(th)): 5.0 V a 8.0 V (a VCE = 5 V, IC = 5 mA)

Corriente de Fuga Colector-Emisor (ICES): Menor o igual a 1.0 mA (a VCE = 600 V, VGE = 0 V)

Corriente de Fuga de Puerta (IGES): Menor o igual a ±500 nA (a VGE = ±20 V, VCE = 0 V)

Capacidad de Entrada (Cies): Aprox. 4500 pF a 5000 pF

Tiempo de Caída (Fall Time - tf): Típico 0.15 µs (máximo 0.30 µs a IC = 50 A)

Tiempo de Apagado (Turn-off Time - toff): Típico 0.50 µs a 1.0 µs

Tensión Directa del Diodo Antiparalelo (VF): Típico 2.3 V (máximo 3.0 V a IF = 50 A)

Tiempo de Recuperación Inversa del Diodo (trr): Típico 0.08 µs (máximo 0.15 µs a IF = 50 A)

Propiedades Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa Transistor (Rth(j-c)): Aprox. 0.45 °C/W a 0.62 °C/W por elemento

Resistencia Térmica Unión-Carcasa Diodo (Rth(j-c)): Aprox. 0.90 °C/W por elemento

Dimensiones Físicas: Aprox. 106 mm a 108 mm (largo) x 62 mm (ancho) x 30 mm a 32 mm (alto)

Terminales de Conexión: Terminales de potencia atornillados (rosca M4/M5) y pines guía/terminales de control para compuerta y emisor auxiliar

Par de Apriete de Montaje al Disipador: 2.5 N·m a 3.5 N·m

Par de Apriete de Bornes de Potencia: 2.5 N·m a 3.5 N·m

Peso Aproximado: Aprox. 320 g a 380 g

Normativas y Seguridad

Aislamiento Galvánico: Base metálica con aislamiento cerámico interno

Conformidad Normativa: Marcado CE, cumplimiento de directiva industrial RoHS

Variadores de velocidad para motores trifásicos de inducción y servomotores AC (VFD / Servodrives).

Etapas de potencia inversora trifásica en SAIs / SAI industriales (UPS).

Inversores para fuentes de soldadura de arco y fuentes de corte por plasma.

Convertidores estáticos CC-CA para energías renovables y equipos de bombeo solar.

Control de actuadores inductivos y accionamientos de elevación en automatización industrial.