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MG50Q1BS1
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG50Q1BS150A/1200V/1U
No Identificado
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
High Input Impedance
High Speed : tr = 0.5 us (Max.)
Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
Enhancement-Mode
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG50Q1BS1
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- MG50Q1BS1
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