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MG200Q2YS11
112,88 $
Sin impuestos
MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG200Q2YS11200A/600V/2U
No Identificado
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Envíos y devoluciones
Todos los productos cuentan con garantía contra defectos de fabricación
Trademark Disclaimer
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed :
tf=0.5us (Max.) trr=0.5us (Max.)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
Enhancement-Mode
Includes a Complete Half Bridge in One Package
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG200Q2YS11
Referencias específicas
- MPN
- MG200Q2YS11
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