- Esgotado
RJP60D0
$ 13,13
Sem imposto
RJP60D0
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon N Channel IGBT
- Short circuit withstand time (5 us typ.)
- Low collector to emitter saturation voltage
- VCE(sat) = 1.6 typ. (IC = 22 A, Vge = 15 V, Ta = 25 C)
- Gate to emitter voltage rating +- 30 V
- Pb-free lead plating and chip bonding
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
RJP60D0
Referências específicas
- MPN
- RJP60D0
Comentários (0)
Nenhuma avaliação de cliente no momento.
16 outros produtos na mesma categoria:
Produtos visualizados