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Features
Silicon N Channel IGBT
Short circuit withstand time (5 us typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.6 typ. (IC = 22 A, Vge = 15 V, Ta = 25 C)
Gate to emitter voltage rating +- 30 V
Pb-free lead plating and chip bonding
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
RJP60D0
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- RJP60D0
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