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MG75Q1BS11
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG75Q1BS1175A/1200V/1U
TOSHIBA
Delivery time : 1-2 semanas.
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Envíos y devoluciones
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Trademark Disclaimer
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed : tf=1.0 us (Max.)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=2.7 (Max.)
Enhancement-Mode
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG75Q1BS11
Referencias específicas
- MPN
- MG75Q1BS11
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