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MG200Q1US41
105,00 $
Sin impuestos
MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG200Q1US41200A/1200V/1U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed :
tf=0.5us (Max.) trr=0.5us (Max.)
Saturation Voltage :
VCE(sat) = 4.0V (Max.)
Enhancement-Mode
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG200Q1US41
Referencias específicas
- MPN
- MG200Q1US41
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