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MG150J2YS50

73,64 $
Sin impuestos

MODULOS DIODO DIODO

Última actualización

DatasheetMG150J2YS50

150A/600V/2U

No identificado

Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from case
  • High input impedance
  • Includes a complete half bridge in
  • one package
  • Enhancement-mode
  • High speed :
  • tf=0.30us (Max.) (IC = 150A)
  • trr = 0.15us (Max.) (IC = 150A)
  • Low saturation voltage :
  • VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC = 150A)

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG150J2YS50

IGBT 150A 600V DUAL

MG150J2YS50

Referencias específicas

MPN
MG150J2YS50
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