Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- The Electrodes are Isolated from case
- High input impedance
- Includes a complete half bridge in
- one package
- Enhancement-mode
- High speed :
- tf=0.30us (Max.) (IC = 150A)
- trr = 0.15us (Max.) (IC = 150A)
- Low saturation voltage :
- VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC = 150A)
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 150A/600V/2U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 150A 600V DUAL |
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