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MG50M2CK1

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50M2CK1

50A/1000V/2H

No identificado

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Quantidade
Esgotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED GTR MODULE
  • Feartures
  • The Collector is Isolated from Case
  • 2 Power Transistors and 2 Free Wheeling Diodes are Built-in to 1 Package
  • High DC Current Gain : hFE=100 (min,) (IC=50A)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=2.5V (Max.) (IC=50A)

Aplications

  • Applications
  • HIGH POWER SWITCHING
  • MOTOR CONTROL

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG50M2CK1

TRANSISTOR

MG50M2CK1

Referências específicas

MPN
MG50M2CK1
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