Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- High Input Impedance
- High Speed : tf=1.0us(Max.) (IC=50A)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat)=2.7V (Max.) (IC =50A)
- Enhancement-Mode
- The Electrodes are Isolated from Case
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 50A/600V/1U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 50A 600V SINGLE |
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