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MG300N1US1
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG300N1US1300A/1000V/1U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT
High Input Impedance
High Speed : tf=1.0us(Max.)
trr=0.5us(Max.)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=5.0V(Max:)
Enhancement-Mode
The Electrodes are isolated from case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG300N1US1
Referencias específicas
- MPN
- MG300N1US1
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